Toshiba发布用于工业设备的第三代SiC MOSFET，采用四引脚封装，可降低开关损耗_文传商讯

Toshiba发布用于工业设备的第三代SiC MOSFET，采用四引脚封装，可降低开关损耗

2023-09-02 12:10:26 来源:互联网

日本川崎--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba)推出多款用于工业设备的碳化硅(SiC) MOSFET，称为“TWxxxZxxxC”系列，采用可降低开关损耗的四引脚TO-247-4L(X)封装和公司最新的^[1] 第三代SiC MOSFET芯片。即日起开始批量发货10款产品，其中5款产品的额定电压为650V，另外5款为1200V。

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这些新产品是Toshiba首次采用四引脚TO-247-4L(X)封装的SiC MOSFET系列，支持在栅极驱动信号源端实现开尔文连接。该封装可降低封装内部源线电感的影响，提升高速开关的性能。与Toshiba现有三引脚TO-247封装产品TW045N120C相比，新TW045Z120C系列的导通损耗降低约40%，关断损耗降低约34%^[2]，从而有助于降低设备功率损耗。

使用SiC MOSFET的三相逆变器的参考设计已在线发布。

未来Toshiba将继续扩大产品阵容，以顺应市场趋势，并为提高设备效率和扩大功率容量做出贡献。

注：
[1] 截至2023年8月。
[2] 截至2023年8月，Toshiba测量值（测试条件：V_DD=800V、V_GG=+18V/0V、I_D=20A、R_G=4.7Ω、L=100μH、T_a=25°C）

应用

开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）
电动汽车充电站
光伏逆变器
不间断电源(UPS)

特性

四引脚TO-247-4L(X)封装：
通过栅极驱动信号源端的开尔文连接来降低开关损耗
第三代SiC MOSFET
低漏源导通电阻 x 栅漏电荷
低二极管正向电压：V_DSF=-1.35V（典型值）(V_GS=-5V)

主要规格

访问以下链接，详细了解新产品。
TW015Z120C
TW030Z120C
TW045Z120C
TW060Z120C
TW140Z120C
TW015Z65C
TW027Z65C
TW048Z65C
TW083Z65C
TW107Z65C

访问以下链接，详细了解Toshiba的MOSFET产品。
MOSFET

访问以下链接，详细了解Toshiba的解决方案提议。

应用
服务器
不间断电源
LED照明

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TW015Z120C
在线购买

TW030Z120C
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TW060Z120C
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TW140Z120C
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TW015Z65C
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TW027Z65C
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TW048Z65C
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TW083Z65C
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TW107Z65C
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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是一家领先的先进半导体和存储解决方案供应商，依托半个多世纪的经验与创新优势，为客户和业务合作伙伴提供杰出的半导体分立器件、系统LSI和HDD产品。
公司在全球拥有21,500名员工，以实现产品价值最大化为己任，与客户紧密合作，共同创造价值、开拓新市场。Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation年销售收入近8000亿日元（61亿美元），立志为全人类创造更加美好的未来。
有关更多信息，请访问https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

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Toshiba：用于工业设备的第三代SiC MOSFET，采用四引脚封装，可降低开关损耗。（图示：美国商业资讯）

Toshiba：使用SiC MOSFET的三相逆变器的参考设计。（照片：美国商业资讯）

（责任编辑:ysman）

Toshiba发布用于工业设备的第三代SiC MOSFET，采用四引脚封装，可降低开关损耗

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