日本川崎--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,简称“东芝”)推出了采用薄型SO6L封装的两款光耦——“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件即日起开始批量出货。
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TLP5705H采用厚度仅有2.3毫米(最大值)的薄型封装(SO6L),是东芝首款可提供±5.0A峰值输出电流额定值的产品。采用缓冲电路进行电流放大的中小型逆变器和伺服放大器等设备,现在可直接通过该光耦驱动其IGBT/MOSFET而无需任何缓冲器。这将有助于减少部件数量并实现设计小型化。
TLP5702H的峰值输出电流额定值为±2.5A。SO6L封装可兼容东芝传统的SDIP6封装的焊盘[1],便于替代东芝现有产品[2]。SO6L比SDIP6更纤薄,能够为电路板组件布局提供更高的灵活性,并支持电路板背面安装,或用于器件高度受限的新型电路设计。
这两款光耦的最高工作温度额定值均达到125℃(Ta=-40至125ºC),使其更容易设计和保持温度裕度。
此外,东芝提供的同系列器件还包括TLP5702H(LF4)与TLP5705H(LF4),采用SO6L(LF4)封装的引线成型选项。
注:
[1] 封装高度:4.25毫米(最大值)
[2] 当前产品:采用SDIP6封装的TLP700H
应用
工业设备
- 工业逆变器、交流伺服驱动器、光伏逆变器、UPS等。
特性
- 高峰值输出电流额定值(Ta=-40℃至125℃时)
IOP=±2.5A (TLP5702H)
IOP=±5.0A (TLP5705H) - 薄型SO6L封装
- 高工作温度额定值:Topr(最大值)=125°C
主要规格
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TLP5702H
TLP5705H
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TLP5702H
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TLP5705H
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东芝:用于IGBT/MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦。(图示:美国商业资讯)